產(chǎn)品時(shí)間:2024-09-20
基本技術(shù)參數(shù) 1. 測(cè)量范圍、分辨率 電 阻: 0.010 ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ~ 10 Ω 電 阻 率: 0.010~ 20.00kΩ-cm,分辨率0.001 ~ 10 Ω-cm 方塊電阻: 0.050~ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ~ 10 Ω/□ 2. 可測(cè)材料尺寸 手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下: 直 徑:
手持式四探針測(cè)試儀 2016新款四探針電阻率測(cè)試儀 型號(hào):HD-M-3
概述
HD-M-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
成套組成:由HAD-M-3主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測(cè)試臺(tái)。
儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入;具有零位、滿度自校功能;手動(dòng)/自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程可選;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用!
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的手持式導(dǎo)電性能的測(cè)試。
基本技術(shù)參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率
電 阻: 0.010 ~ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ~ 10 Ω
電 阻 率: 0.010~ 20.00kΩ-cm,分辨率0.001 ~ 10 Ω-cm
方塊電阻: 0.050~ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ~ 10 Ω/□
2. 可測(cè)材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下:
直 徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。
SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。
長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級(jí)
量程(Ω-cm/□) | 2.000 | 20.00 | 200.0 | 2.000k | 20.00k |
電阻測(cè)試范圍 | 0.010~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~50.00k |
電阻率/方阻 | 0.010/0.050~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~20.00k |
基本誤差 | ±1%FSB±2LSB | ±2%FSB±2LSB |
4) 適配器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電
5) 外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm
凈 重:≤0.3kg